產(chǎn)品型號:GeminiSEM系列
更新時間:2025-08-06
廠商性質(zhì):代理商
訪 問 量 :329
020-66618088
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技術(shù)參數(shù):
基本參數(shù) | 蔡司 GeminiSEM 560 | 蔡司 GeminiSEM 460 | 蔡司 GeminiSEM 360 |
分辨率 * | 0.4 nm @ 30 kV (STEM) | 0.6 nm @ 30 kV (STEM) | 0.6 nm @ 30 kV (STEM) |
0.4 nm @ 15 kV/ DCV** | 0.5 nm @ 15 kV/DCV** | 0.5 nm @ 15 kV/ DCV** | |
0.7 nm @ 1 kV TD | 1.0 nm @ 1 kV/500 VTD | 1.0 nm @ 1 kV TD | |
0.7 nm @ 1 kV/DCV** | 0.9 nm @ 1 kV/ DCV** | 1.0 nm @ 1 kV/DCV** | |
1.0 nm @ 500 v | 1.5 nm @ 200 v | — | |
分析分辨率 | — | 2.0 nm @ 15 kv, 5 nA, WD=8.5 mm | — |
Inlens BSE 分辨率 | 1.0 nm @ 1 kv | 1.2 nm @ 1 kv | 1.2 nm @ 1 kv |
NanoVP 模式分辨率(30 Pa) | 1.4 nm @ 3 kV | 1.4 nm @ 3 kv | 1.4 nm @ 3 kV |
1.0 nm @ 15 kv | 1.0 nm @ 15 kv | 1.0 nm @ 15 kv | |
加速電壓 | 0.02-30 kV | ||
探針束流 | 3 pA - 20 nA (100 nA 配置可選) | 3 pA - 40 nA (100 nA 或 300 nA 配置可選) | 3 pA - 20 nA (100 nA 配置可選) |
高分辨率模式最大觀察視野 | 在1kV下1.6mm,WD=7mm | 在5kV下5mm,WD=8.5 mm | 在5kV下5mm,WD=8.5 mm |
概覽模式最大觀察視野 | 在15 kV下5.6 mm, WD=8.5 mm | ||
130 mm,最大 WD(約 50 mm) | |||
放大倍率 | 1-2000000 | 8-2000000 | 8-2000000 |
*最終安裝完成后,在1kV 和 15 kV 高真空條件下未去卷積進(jìn)行系統(tǒng)驗收測試時獲得的分辨率 **數(shù)字分辨率(去卷積) |
性能特點:
探索蔡司Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)的三種設(shè)計:
GeminiSEM 360
盡享表面敏感成像的優(yōu)勢并在低電壓或高探針電流下實現(xiàn)信息收集。了解Inlens探測器、NanoVP、關(guān)聯(lián)式成像查看或人工智能支持的圖像分割優(yōu)勢。
√高樣品靈活性
√出色的用戶體驗
√杰出的拓展能力
GeminiSEM 460
可從低電流-低電壓工作條件無縫切換到高電流-高電壓工作條件。通過原位加熱和拉伸實驗室來拓展您的應(yīng)用范圍。充分發(fā)揮其各項優(yōu)勢,如共面式EDS/EBSD配置、EDS數(shù)據(jù)的無陰影面分布和快速收集4000點/秒的EBSD圖。
√兼顧高分辨率和高電流
√定制自動化工作流
√為您帶來更多可能性
GeminiSEM 560
探索表面成像新標(biāo)準(zhǔn):Gemini 3鏡筒搭載全新的電子光學(xué)引擎Smart Autopilot,使樣品能夠在低于1 kV、分辨率低于1 nm的條件下進(jìn)行無漏磁成像,且無需樣品臺偏壓或單色器,可在您的工作條件下達(dá)到理想效果。
√表面成像的新標(biāo)準(zhǔn)
√整合專業(yè)知識
√體驗出色的襯度
應(yīng)用范圍:
材料科學(xué)中的應(yīng)用
無論是在大面積區(qū)域內(nèi)還是在亞納米分辨率下,均可輕松對真實世界樣品進(jìn)行成像和分析。
探索來自納米科學(xué)、工程和能源材料或仿生材料、聚合物和催化劑等領(lǐng)域的應(yīng)用實例。
了解GeminiSEM如何幫助您全面表征樣品。
工業(yè)用顯微鏡解決方案
力學(xué)、光學(xué)或電子組件的失效分析
斷裂分析和金相研究
表面、微觀結(jié)構(gòu)和器件表征
成分和相分布
確定雜質(zhì)和夾雜物
電子元件和半導(dǎo)體中的應(yīng)用
構(gòu)造分析和基準(zhǔn)分析
被動電壓襯度
亞表面分析
探針測量電學(xué)性能
TEM選址
生命科學(xué)中的應(yīng)用
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的表征
對敏感、非導(dǎo)電、除氣或低襯度樣品進(jìn)行成像
細(xì)胞、組織等超微結(jié)構(gòu)的高分辨率成像
進(jìn)行超大面積成像,如連續(xù)切片或切面成像
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